Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Рекордные мощностные характеристики лазеров наоснове InGaAs / AlGaAs / GaAs-гетероструктур

Лившиц Д.А., Егоров А.Ю., Кочнев И.В., Капитонов В.А., Лантратов В.М., Леденцов Н.Н., Налет Т.А., Тарасов И.С.

Лившиц Д.А., Егоров А.Ю., Кочнев И.В., Капитонов В.А., Лантратов В.М., Леденцов Н.Н., Налет Т.А., Тарасов И.С. Рекордные мощностные характеристики лазеров наоснове InGaAs / AlGaAs / GaAs-гетероструктур // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 380

Аннотация Выходные мощности в непрерывном режиме 9.2 Вт при постоянной температуре теплоотвода 10oC и 12.2 Вт в режиме стабилизации температуры активной области получены в лазере на основе InGaAs / AlGaAs (длина волны 1.03 мкм) с GaAs-волноводом толщиной 0.4 мкм. Достигнуты рекордно высокие плотности мощности на выходном зеркале 29.9 и 40 МВт/см2 без катастрофической оптической деградации зеркал при двух режимах термостабилизации соответственно. В лазере с длиной резонатора 2 мм достигнут максимальный коэффициент полезного действия 66%.