Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоэлектрические характеристики инфракрасных фотоприемников сблокированной прыжковой проводимостью

Есаев Д.Г., Синица С.П.

Есаев Д.Г., Синица С.П. Фотоэлектрические характеристики инфракрасных фотоприемников сблокированной прыжковой проводимостью // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 474

Аннотация Показано, что вольт-амперные характеристики структур с блокированной прыжковой проводимостью (BIB-структур) на основе Si : As при засветке инфракрасным излучением из области чувствительности имеют два четко выраженных участка. Напервом участке величина фототока определяется величиной потока инфракрасного излучения и лавинным примесным пробоем. Навтором участке фототок определяется смыканием слоя обеднения с контактной N++-областью. Показано, что режим лавинного умножения может быть использован в фокальных многоэлементных фотоприемных устройствах. Однородность фотоэлектрических параметров по массиву элементов в фокальных многоэлементных фотоприемных устройствах, работающих в режиме лавинного умножения, практически не уступает таковой, наблюдаемой в BIB-матрицах, работающих без лавинного умножения.