Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия &#36; Air Force Wright Lab., Wright Patterson AFB, OH, ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фоточувствительные структуры на монокристаллах CdGa2Se4

Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Полушина И.К., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fernelius N.

Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Полушина И.К., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fernelius N. Фоточувствительные структуры на монокристаллах CdGa2Se4 // ФТП, 2003, том 37, выпуск 5, Стр. 572

Аннотация Созданы первые фоточувствительные структуры на основе монокристаллов CdGa2Se4: поверхностно-барьерные структуры In / CdGa2Se4 игетероструктуры InSe / CdGa2Se4. Исследованы вольт-амперные характеристики испектры квантовой эффективности полученных структур. Обнаружена поляризационная фоточувствительность структур In / CdGa2Se4. Обсуждаются процессы фоточувствительности структур сучетом фотоактивного поглощения вкристаллах CdGa2Se4 впримесной исобственной областях спектра. Сделан вывод овозможностях практического применения монокристаллов CdGa2Se4 вфотопреобразователях естественного илинейно поляризованного излучения.