Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники иэлектроники Российской академии наук, 103907 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотолюминесцентные исследования двойных квантовых ям AlGaAs / GaAs / AlGaAs стонким разделяющим AlAs-слоем

Галиев Г.Б., Карачевцева М.В., Мокеров В.Г., Страхов В.А., Шкердин Г.Н., Яременко Н.Г.

Галиев Г.Б., Карачевцева М.В., Мокеров В.Г., Страхов В.А., Шкердин Г.Н., Яременко Н.Г. Фотолюминесцентные исследования двойных квантовых ям AlGaAs / GaAs / AlGaAs стонким разделяющим AlAs-слоем // ФТП, 2003, том 37, выпуск 5, Стр. 599

Аннотация Вдиапазоне температур 77-300 K исследованы спектры фотолюминесценции системы из двух квантовых ям Al0.21Ga0.79As / GaAs / Al0.21Ga0.79As, разделенных тонким AlAs-барьером. Ширина ям менялась впределах 65-175 Angstrem, толщина AlAs-барьера составляла5, 10 и20 Angstrem. При достаточно малой толщине AlAs-барьера (5,10 Angstrem) электронная связь между ямами заметно влияет на энергетический спектр квантовых состояний. Это приводит ксмещению основной полосы фотолюминесценции, ана высокотемпературных спектрах--- кпоявлению особенностей, обусловленных расщеплением уровней на симметричные иантисимметричные состояния. При толщине AlAs-барьера 20 Angstrem структура представляет собой систему из двух изолированных асимметричных квантовых ям Al0.21Ga0.79As / GaAs / AlAs. Проведен расчет энергии уровней вдвойных связанных ямах взависимости от ширины ямы итолщины AlAs-барьера, иполучено хорошее согласие наблюдаемых вэксперименте энергий оптических переходов срасчетными значениями.