Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2003-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Зависимость энергии активации A(+)-центров отширины квантовых ям вструктурах GaAs/AlGaAs

Иванов Ю.Л., Петров П.В., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Устинов В.М.

Иванов Ю.Л., Петров П.В., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. Зависимость энергии активации A(+)-центров отширины квантовых ям вструктурах GaAs/AlGaAs // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1114

Аннотация Проведены люминесцентные измерения структур снесколькими квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, содержащими A(+)-центры, при разных ширинах квантовых ям сцелью определения зависимости энергии активации A(+)-центров отширины квантовых ям. Показано, что суменьшением ширины ям энергия активации A(+)-центров значительно возрастает, причем вямах шириной10 нм энергия активации в10раз больше, чем вобъемном материале. Замечено, что энергия активации A(+)-центров зависит отихконцентрации.