Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут проблем технологии микроэлектроники иособочистых материалов Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Резонансное Gamma -X-туннелирование воднобарьерных гетероструктурах GaAs/AlAs/GaAs

Ханин Ю.Н., Вдовин Е.Е., Дубровский Ю.В.

Ханин Ю.Н., Вдовин Е.Е., Дубровский Ю.В. Резонансное Gamma -X-туннелирование воднобарьерных гетероструктурах GaAs/AlAs/GaAs // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 436

Аннотация -1 Статья посвящена изучению транспорта электронов через однобарьерные гетероструктуры GaAs/AlAs/GaAs, обусловленного процессами резонансного туннелирования между двумерными состояниями, принадлежащими долине Gammaзоны проводимости GaAs, и различными двумерными или нуль-мерными донорными состояниями, принадлежащими нижним долинамX зоны проводимостиAlAs. Было обнаружено резонансное туннелирование электронов как через различные двумерные состояния, относящиеся к долинамXz иXxy вAlAs (состоянияXz иXxy), так и через связанные с ними состояния доноровSi XDz иXDxy. Это позволило непосредственно из результатов идентификации резонансных особенностей транспортных характеристик определить энергии связи этих донорных состояний EB(XDz)~ 50 мэВ и EB(XDxy)~ 70 мэВ соответственно. Анализ структуры экспериментальных резонансов, соответствующих туннелированию в магнитном поле между Gamma- и X-уровнями Ландау, позволил нам определить значение поперечной эффективной массы в X-долинах AlAs mt=(0.2± 0.02)m0. Обнаружена дополнительная тонкая структура донорных резонансов на экспериментальных транспортных характеристиках, вызванная резонансным туннелированием электронов через состояния доноров, расположенных в различных атомных слоях барьера AlAs (внаправлении роста) и обладающих, вследствие этого, различными энергиями связи.