Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия + Национальный университет &#92;glqq Львивська политехн ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фоточувствительные структуры на монокристаллах HgGa2S4: создание исвойства

Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Байрамов Б.Х., Ильчук Г.А., Украинец В.О., Фернелиус Н., Шунеманн П.Г.

Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Байрамов Б.Х., Ильчук Г.А., Украинец В.О., Фернелиус Н., Шунеманн П.Г. Фоточувствительные структуры на монокристаллах HgGa2S4: создание исвойства // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1332

Аннотация Изготовлены и исследованы фоточувствительные структуры на основе монокристаллов n-HgGa2S4. Сделан вывод о перспективах применения кристаллов HgGa2S4 в качестве фотодекторов естественного и линейного поляризованного излучения коротковолнового спектрального диапазона.