Профиль » Публикация
Опубликовано
2005-00-00
ОрганизацияНовосибирский государственный технический университет, 630092 Новосибирск, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Рассеяние носителей заряда на границах кристаллитов в пленках поликристаллического кремния
Гридчин В.А., Любимский В.М., Моисеев А.Г. Рассеяние носителей заряда на границах кристаллитов в пленках поликристаллического кремния // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 208
Аннотация
-1 Рассмотрено рассеяние носителей заряда на потенциальных барьерах границ зерен в пленках поликристаллического кремния. Анализируется влияние этого механизма рассеяния на подвижность носителей заряда. Наблюдается удовлетворительное согласие между расчетными и экспериментальными подвижностями дырок. Развитая модель может использоваться для рассмотрения других кинетических явлений.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален