Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия + Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук, 20072 Минск, Белоруссия *Национальный университет &#92;glqq Львивська полит ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов ZnO--Cu(In,Ga)Se2

Гременок В.Ф., Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.

Гременок В.Ф., Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов ZnO--Cu(In,Ga)Se2 // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 218

Аннотация Методом магнетронного распыления мишени изZnO с последующим осаждением на поверхность пленок Cu(In,Ga)Se2 получены тонкопленочные гетеропереходы n-ZnO(Al)/p-Cu(In,Ga)Se2. Исследованы фотоэлектрические свойства полученных гетеропереходов в естественном и линейно поляризованном излучении. Сделан вывод о возможностях применения бескадмиевых экологически безопасных гетероструктур в качестве высокоэффективных широкополосных фотопреобразователей естественного и линейно поляризованного излучения.