Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет&#92;glqq ЛЭТИ&#92;grqq, 197376 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Терагерцовая электролюминесценция засчет пространственно непрямых межподзонных переходов в квантово-каскадной структуреGaAs/AlGaAs

Глинский Г.Ф., Андрианов А.В., Сресели О.М., Зиновьев Н.Н.

Глинский Г.Ф., Андрианов А.В., Сресели О.М., Зиновьев Н.Н. Терагерцовая электролюминесценция засчет пространственно непрямых межподзонных переходов в квантово-каскадной структуреGaAs/AlGaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1224

Аннотация Изучена терагерцовая электролюминесценция квантовой каскадной структуры GaAs/GaAlAs в диапазоне ~33-60 см-1 (1-1.8 ТГц) и проведены теоретические расчеты энергетической диаграммы уровней в такой структуре. Рассмотрены наиболее вероятные переходы в системе и изучена зависимость их от приложенного электрического поля. Проведенный анализ позволил отнести наблюдаемую линию терагерцового излучения к пространственно непрямым переходам электронов между локализованными в соседних квантовых ямах состояниями, которым соответствуют минимумы подзон размерного квантования. Результаты численного моделирования хорошо описывают спектральное положение линии электролюминесценции и сдвиг линии с увеличением напряжения смещения на квантово-каскадной структуре.