Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия + Strathclyde University, G 40 NG, Glasgow, UK ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фоточувствительность гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se2 приgamma -облучении

Емцев В.В., Николаев Ю.А., Полоскин Д.С., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Якушев М.В.

Емцев В.В., Николаев Ю.А., Полоскин Д.С., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Якушев М.В. Фоточувствительность гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se2 приgamma -облучении // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1455

Аннотация Исследовано влияние gamma-облучения (Co60) на фотопреобразование тонкопленочных гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In, Ga)Se2 в естественном и линейно поляризованном излучении. Показано, что проникающее gamma-облучение структур при комнатной температуре практические не оказывает влияния на фотоэлектрические параметры тонкопленочных гетерофотоэлементов вплоть до потоков Phi~ 1.1·1018 квант / см2. Сделан вывод о возможностях использования гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In, Ga)Se2 в условиях высокого радиационного фона.