Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияСибирский физико-технический институт при Томском государственном университете, 634050 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Рассеяние дырок гетерограницами GaAs/AlAs (111) и(110)

Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н.

Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н. Рассеяние дырок гетерограницами GaAs/AlAs (111) и(110) // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 549

Аннотация На основе 18-зонной kp-модели проведен анализ волновых функций состояний валентной зоны. Найдено, что обычно используемое приближение не зависящих от энергии эффективных масс для зон легких и тяжелых дырок оправдано только вблизи вершины валентной зоны. Рассмотрены условия сшивания огибающих функций дырок на гетерограницах GaAs/AlAs с ориентациями (111) и(110) как с учетом, так и без учета спин-орбитального взаимодействия для энергий в окрестности вершины валентной зоны. Они получены в результате упрощения описания электронных состояний методом псевдопотенциала. Полученные условия сшивания полностью согласуются с симметрией задачи. Вних присутствует смешивание огибающих функций с их нормальными производными и смешивание производных с функциями. Показано, что смешивание легких и тяжелых дырок на гетерогранице не имеет места для границы(111), но существует для границы(110). Найдено, что для гетерограницы(110) имеется заметно большее, чем для границы(001), резонансное смешивание состояний. PACS: 73.50.Dn, 73.40.Kp