Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 Организация* Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 190103 Санкт-Петербург, Россия &#36; Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный комплекс Российской академии наук, 195220 Санкт-Петербург, Россия &#92;wedge Max ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние разориентации подложки GaAs насвойства квантовых точекInAs, выращенных методомМПЭ принизких температурах

Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Поляков Н.К., Самсоненко Ю.Б., Устинов В.М., Захаров Н.Д., Werner P., Талалаев В.Г., Новиков Б.В.

Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Поляков Н.К., Самсоненко Ю.Б., Устинов В.М., Захаров Н.Д., Werner P., Талалаев В.Г., Новиков Б.В. Влияние разориентации подложки GaAs насвойства квантовых точекInAs, выращенных методомМПЭ принизких температурах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 603

Аннотация Исследованы структурные и оптические свойства массивов квантовых точекInAs, выращенных на подложкахGaAs при низких температурах (250 и350oC) и различной степени разориентации поверхности. Показано, что низкотемпературный рост на сингулярной поверхности сопровождается формированием конгломератов квантовых точек вдоль петлевых дислокаций, а на разориентированной поверхности--- вдоль ступеней, обусловленных вицинальностью поверхности. Образование конгломератов квантовых точек приводит к появлению новой длинноволновой полосы в спектрах экситонной фотолюминесценции. Обнаружена различная степень поляризации спектральной полосы фотолюминесценции для конгломератов разных форм и размеров. PACS: 68.65.Hb, 78.67.Hc, 73.63.Kv, 78.55.Cr