Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние изовалентного легирования фосфором накластерообразование варсениде галлия, выращиваемом методом молекулярно-лучевой эпитаксии принизкой температуре

Бойцов А.В., Берт Н.А., Мусихин Ю.Г., Чалдышев В.В., Яговкина М.А., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р.

Бойцов А.В., Берт Н.А., Мусихин Ю.Г., Чалдышев В.В., Яговкина М.А., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р. Влияние изовалентного легирования фосфором накластерообразование варсениде галлия, выращиваемом методом молекулярно-лучевой эпитаксии принизкой температуре // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 778

Аннотация Методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии проведены исследования слоев GaAs, без легирования и однородно легированных фосфором (2.3 мол%), выращенных при температуре 250oC и изохронно отожженных при 400, 500, 600 и 700oC. Установлено, что легирование фосфором уменьшает количество избыточного мышьяка, захватываемого в слой в процессе роста, а также приводит к \glqq замедлению\grqq преципитации при последующем отжиге. Внелегированных образцах концентрация избыточного мышьяка составила ~0.2 ат%, кластеры были обнаружены после отжига при температуре 500oC. Вобразцах, содержащих фосфор, концентрация избыточного мышьяка составила 0.1 ат%, а кластеры обнаружены только после термообработки при 600oC. Средний размер кластеров в легированных образцах меньше по сравнению с нелегированными при равных температурах отжига. PACS: 61.46.Bc, 81.07.Bc