Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияФизический институт им.П.Н.Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия * Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Высшие гармоники колебаний тока вслабосвязанных сверхрешетках GaAs/AlGaAs
Расулова Г.К., Брунков Н.П., Жуков А.Е., Устинов В.М. Высшие гармоники колебаний тока вслабосвязанных сверхрешетках GaAs/AlGaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 846
Аннотация
Показано, что автоколебания, наблюдаемые в слабосвязанных сверхрешетках GaAs/AlGaAs, являются результатом сложения гармонических колебаний нескольких связанных осцилляторов, каждый из которых представляет собой однобарьерный туннельный диод. Связанные осцилляторы формируют расширенную границу электрополевого домена в режиме отрицательной дифференциальной проводимости. PACS: 72.30.+q, 73.40.Gk, 73.40.Kp.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален