Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияПриднестровский государственный университет им.Т.Г.Шевченко, 3300 Тирасполь, Молдова ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние примеси гольмия(Ho) нафотоэлектрические свойстваAs2Se3 и(As2S3)0.3(As2Se3)0.7

Бурдиян И.И., Сенокосов Э.А., Косюк В.В., Пынзарь Р.А.

Бурдиян И.И., Сенокосов Э.А., Косюк В.В., Пынзарь Р.А. Влияние примеси гольмия(Ho) нафотоэлектрические свойстваAs2Se3 и(As2S3)0.3(As2Se3)0.7 // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1250

Аннотация Исследовалось влияние примеси гольмия(Ho) на фотоэлектрические свойства монолитных и пленочных образцов As2Se3 и(As2S3)0.3(As2Se3)0.7. Измерения относительной фотопроводимости на монолитных образцах и спектрального распределения фототока на пленочных образцах показали увеличение фотопроводимости веществ при их легированииHo в концентрации 0.010-0.015 ат%. Из спектрального распределения фототока и оптического поглощения установлено, что с увеличением концентрацииHo до0.015 ат % ширина запрещенной зоны монотонно уменьшается от1.88 до1.85 эВ дляAs2Se3 и от2.05 до2.00 эВ для (As2S3)0.3(As2Se3)0.7, а затем слабо возрастает до значений в исходных чистых материалах. PACS: 72.40.+w, 73.50.Pz, 78.40.Pg