Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1997-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Интенсивная фотолюминесценция пористых слоев пленок SiC, выращенных на кремниевых подложках

Данишевский А.М., Шуман В.Б., Гук Е.Г., Рогачев А.Ю.

Данишевский А.М., Шуман В.Б., Гук Е.Г., Рогачев А.Ю. Интенсивная фотолюминесценция пористых слоев пленок SiC, выращенных на кремниевых подложках // ФТП, 1997, том 31, выпуск 4, Стр. 420

Аннотация На пленках SiC, выращенных на кремниевых подложках, получены люминесцирующие пористые слои. В результате электролитического окисления пористых слоев интенсивность фотолюминесценции весьма существенно увеличивается. Спектр импульсной фотолюминесценции представляет собой ряд перекрывающихся полос в диапазоне от 1.8 до 3.3 эВ. Проведенные исследования исходных пленок SiC показали, что они являются нестехиометричными и сильно разупорядоченными, тем не менее интенсивность фотолюминесценции окисленных пористых слоев оказывается значительно более высокой, чем удается получить при соответствующей обработке кристаллов или кристаллических пленок SiC.