Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияГосударственный университет Молдовы, 277069 Кишинев, Молдавия * Санкт-Петербургский государственный технический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия &#36; Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербур ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-CdS / p-InP

Ботнарюк В.М., Горчак Л.В., Диакону И.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.

Ботнарюк В.М., Горчак Л.В., Диакону И.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-CdS / p-InP // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 72

Аннотация Поляризационный метод фотоактивного поглощения гетеропереходов CdS/InP использован для исследования процессов фотопреобразования в зависимости от ориентации подложек из фосфида индия. Результаты этих исследований демонстрируют чувствительность фотоэлектрических процессов к нескольким факторам, включая кристаллографическую ориентацию подложек из p-InP и оптическое качество слоев CdS. Коэффициент наведенного фотоплеохроизма этих гетеропереходов растет пропорционально квадрату угла падения (PI~Theta2). Гетеропереходы CdS/InP могут найти применение как поляризационно-фоточувствительные приборы.