Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2000-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Внутренние микронапряжения, распределение состава и катодолюминесценции пошлифу эпитаксиальных слоев AlxGa1-xN на сапфире

Усиков А.С., Третьяков В.В., Бобыль А.В., Кютт Р.Н., Лундин В.В., Пушный Б.В., Шмидт Н.М.

Усиков А.С., Третьяков В.В., Бобыль А.В., Кютт Р.Н., Лундин В.В., Пушный Б.В., Шмидт Н.М. Внутренние микронапряжения, распределение состава и катодолюминесценции пошлифу эпитаксиальных слоев AlxGa1-xN на сапфире // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1300

Аннотация Проведено исследование структурных свойств и пространственных неоднородностей слоев AlxGa1-xN, выращенных на сапфировых подложках(0001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Обнаружено неравномерное распределение Al по толщине эпитаксиальных слоев, полученных при постоянных потоках ростовых компонент. На основе данных рентгенодифракционного анализа и катодолюминесценции предложена модель формирования слоев с композиционным профилем. Установлено, что однородные образцы удается получить путем увеличения потока триметилалюминия на начальной стадии роста слоя относительно всего последующего процесса роста. Показано, что снижение скорости роста позволяет уменьшить напряжения в эпитаксиальном AlxGa1-xN-слое. Обсуждается влияние напряжений на люминесцентные свойства выращенных слоев.