Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние условий выращивания эпитаксиальных слоев 6H-SiC изгазовой фазы навхождениеAl

Зеленин В.В., Корогодский М.Л., Лебедев А.А.

Зеленин В.В., Корогодский М.Л., Лебедев А.А. Влияние условий выращивания эпитаксиальных слоев 6H-SiC изгазовой фазы навхождениеAl // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10, Стр. 1172

Аннотация Приведены результаты исследований методом вторичной ионной масс-спектрометрии нелегированных эпитаксиальных слоев 6H-SiC p-типа проводимости, выращенных из газовой фазы. Обсуждаются возможные источники фоновой примеси, механизм вхождения в слой и связь между стехиометрией и адсорбцией--- содной стороны, и эффектом конкурентного замещения примесями узлов кристаллической решетки--- с другой. Накопление алюминия в адсорбционном слое SiC объясняется его поверхностной активностью. Рост концентрации Al с увеличением концентрации углерода связывается с образованием кремниевых вакансий, занимаемых атомами алюминия.