Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияНаучно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им.Н.И.Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия + Российский научный центр &#92;glqq Курчатовский институт&#92;grqq, 123182 Москва, Россия + Физи ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Свойства структур на основе GaAs, легированного Mn из лазерной плазмы в процессе МОС-гидридной эпитаксии

Васильева Ю.В., Данилов Ю.А., Ершов Ант.А., Звонков Б.Н., Ускова Е.А., Давыдов А.Б., Аронзон Б.А., Гуденко С.В., Рыльков В.В., Грановский А.Б., Ганьшина Е.А., Перов Н.С., Виноградов А.Н. Свойства структур на основе GaAs, легированного Mn из лазерной плазмы в процессе МОС-гидридной эпитаксии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 87

Аннотация Развит метод легирования GaAs марганцем с использованием лазерного испарения металлической мишени в процессе МОС-гидридной эпитаксии. Метод использован для формирования как однородно легированных слоев GaAs : Mn, так и двумерных структур, включающихdelta-легированный марганцем слой GaAs и квантовую яму InxGa1-xAs, разделенные спейсером GaAs толщиной d=3-6 нм. Показано, что полученные структуры обладают при комнатной температуре измерений магнитооптическими и магнитными свойствами, обусловленными, вероятнее всего, наличием кластеров MnAs. Вобласти низких температур (~30 K) выявлен аномальный эффект Холла, который объяснен обменным взаимодейтвием между ионами Mn посредством дырок 2Dканала.