Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияИнститут электроники Национальной академии наук Беларуси, 220090 Минск, Республика Беларусь ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Кремниевый фотодиод ссетчатым p-n-переходом

Блынский В.И., Василевский Ю.Г., Малышев С.А., Чиж А.Л.

Блынский В.И., Василевский Ю.Г., Малышев С.А., Чиж А.Л. Кремниевый фотодиод ссетчатым p-n-переходом // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 229

Аннотация Исследованы кремниевые фотодиоды, p-область которых имеет сетчатую структуру. Получены аналитические выражения для емкости таких фотодиодов. Проведен анализ влияния размеров ячейки и диффузионной длины неосновных носителей заряда на чувствительность кремниевого сетчатого фотодиода в спектральном диапазоне 0.6-1.0 мкм. Приведены экспериментальные характеристики фотодиодов с сетчатым p-n-переходом с размерами ячеек50 и110 мкм. Обсуждены факторы, определяющие особенности их спектральной характеристики. PACS:85.60.Dw, 72.40.+w, 73.50.Pz.